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装置一覧

device_simulator
デバイスシミュレータ
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SILVACO社製TCAD
(DeckBuild, TonyPlot, TonyPlot3D, DevEdit, DevEdit3D,ATLAS,Framework, DEVICE 3D,3D Quantum, BLAZE, MC Device,   Quantum, NOISE)
SPUTTER
スパッタリング装置
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芝浦メカトロニクス社製CFS-4EP-LL
  • 基板テーブル:Φ220 mm
  • ターゲット:Φ3インチGUN x 4基
    (強磁性体材料用GUN1基含む)
  • 使用ガス:Ar, O2, N2ガス
laser
レーザー描画装置
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Heidelberg Instruments社製DWL66
  • ステージ:8インチ
  • 光源:442 nm HeCdレーザー
FIB-SEM
FIB-SEM
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FEI社製Helios NanoLab 600i
  • 加速電圧:1-30kV(電子ビーム)0.5-30kV(イオンビーム)
  • デポジション用ガス:C,Ptガス
  • TEM試料作成
package
パッケージング
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ワイヤボンダ(左)
West Bond社製7476D
ワイヤ種:アルミ線・金線
エポキシダイボンダ(右)
West Bond社製 7200CR
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電子線蒸着装置
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EB-350T
株式会社エイコー
到達圧力: 1.0×10-6 Pa以下
蒸発源: 5 kW 5連EBガン
ルツボ容量: 5 cc
基板ホルダー: Φ3インチ
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電子線描画装置
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ELIONIX
 ELS-7500EXELS-7500EX
電子線加速: 50keV
最大基板サイズ:Φ4インチ 
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走査型プローブ顕微鏡
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Bruker
 Dimension Icon
最大基板サイズ:Φ4インチ
計測機能
・トポグラフィックAFM
・コンダクティブAFM
・磁気力AFMM
・大気中STM
・SCM,SSRM
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ウェーハーダイシングマシン
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DAD322
株式会社ディスコ
                            最大基板サイズ:Φ6インチ
切削可能範囲:150mm
切削速度:0.1~100mm/s
ダイシング深さ精度:0.005mm
位置決め精度:0.005mm
ダイシングライン太さ:0.05mm
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電界放出型走査電子顕微鏡
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Su8020
日立ハイテク
                            解像度:1.0nm
加速電圧:0.1~30kV
倍率:100~800,000倍
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パターン投影リソグラフィーシステム
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µPG501
Heidelberg Instruments
                            光源:LED(波長390nm)
最大基板サイズ:5インチ
対応フォーマット:DXF, GDSII, Gerber, CIF等
対応レジスト:SU-8, i線およびg線用等
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インクジェットパターン生成装置
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ST050
SIJテクノロジ
                            最小吐出量:0.1fL 
最小ライン幅:0.66µm
分解能:0.1µm、繰り返し位置精度:±0.2µm
対応フォーマット: DXF
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反応性イオンエッチング装置
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RIT-10NR
サムコ
                            高周波出力:300W 
最大試料サイズ:200mm直径
ガス:CF, CHF3, O2
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マスクアライナー
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Q2001CT
Neutronix-Quintel
                            光源:高圧水銀ランプ(350~450nm) 
マスク合わせ:マニュアル方式
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触針表面形状測定器
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Dektak3 ST
アルバック
                            測定段差幅:10~131µm 
測定分解能:0.1nm/6.5µm, 1nm/65.5µm, 2nm/131µm
測定長:50µm~50mm 
観察倍率:35倍、200倍 
サンプルサイズ:150mm 
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半導体特性評価システム
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B1599T
Agilent
                            I-V測定範囲:0.1fA~1A / 0.5µV~200V 
測定分解能:0.1nm/6.5µm, 1nm/65.5µm, 2nm/131µm
タイムサンプリング:100µs 
容量測定周波数範囲:1kHz~5MHz